Correlation versus hybridization gap in CaMn2Bi2

Autor(es)

Lane, Christopher ; Piva, M. M. ; Rosa, P. F. S. ; Zhu, Jian-Xin

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: SCIENTIFIC REPORTS; v. 13, n. 1, p. 8-pg., 2023-06-07.

Resumo

We study the interplay between electronic correlations and hybridization in the low-energy electronic structure of CaMn2Bi2, a candidate hybridization-gap semiconductor. By employing a DFT+U approach we find both the antiferromagnetic Neel order and band gap in good agreement with the corresponding experimental values. Under hydrostatic pressure, we find a crossover from hybridization gap to charge-transfer insulting physics due to the delicate balance of hybridization and correlations. Increasing the pressure above P-c = 4 GPa we find a simultaneous pressure-induced volume collapse, plane-to-chain, insulator to metal transition. Finally, we have also analyzed the topology in the antiferromagnetic CaMn2Bi2 for all pressures studied. (AU)

• Processo FAPESP: 17/25269-3 - Estudos em altas pressões dos compostos SrFe2As2, CeAuBi2 e CaMn2Bi2
• Beneficiário: Mário Moda Piva
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado Direto
• Processo FAPESP: 17/10581-1 - Fenômenos emergentes em sistemas de dimensões reduzidas
• Beneficiário: Pascoal Jose Giglio Pagliuso
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Projetos Especiais
• Processo FAPESP: 15/15665-3 - Estudos dos efeitos de diferenciação orbital das propriedades magnéticas e supercondutoras de compostos à base de FeAs
• Beneficiário: Mário Moda Piva
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto