| Autor(es): |
Aldaya, Ivan
;
Dainese, Paulo
;
Gil-Molina, Andres
;
Pita, Julian L.
;
Fragnito, Hugo L.
;
IEEE
Número total de Autores: 6
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | 2017 SBMO/IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE AND OPTOELECTRONICS CONFERENCE (IMOC); v. N/A, p. 4-pg., 2017-01-01. |
| Resumo | |
Nonlinear carrier recombination dynamics is characterized in a 450 nm x 220 nm silicon nanowire by employing a time-resolved pump-and-probe experiment. Our results show that the recombination rate is faster at the early stages of the decay as compared to the final stages, in agreement with trap-assisted mechanism. We have also demonstrated that by operating at high carrier density, faster excess carrier generation and recombination can be obtained, which we have used to improve the speed of an all-optical FCA based silicon switch from about 7 to 1 ns. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 13/20180-3 - Processos de espalhamento de luz em microestruturas fotônicas |
| Beneficiário: | Paulo Clóvis Dainese Júnior |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores |
| Processo FAPESP: | 15/04113-0 - Não linearidades em Guias de Onda baseados em Silício |
| Beneficiário: | Ivan Aritz Aldaya Garde |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Processo FAPESP: | 15/11779-4 - Efeitos plasmônicos e não-lineares em grafeno acoplado a guias de onda ópticos |
| Beneficiário: | Christiano José Santiago de Matos |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Temático |
| Processo FAPESP: | 12/50259-8 - Grafeno: fotônica e opto-eletrônica: colaboração UPM-NUS |
| Beneficiário: | Antonio Helio de Castro Neto |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Programa SPEC |