Putative hybridization gap in CaMn2Bi2 under applied pressure

Autor(es)

Piva, M. M. ; Thomas, S. M. ; Fisk, Z. ; Zhu, J-X ; Thompson, J. D. ; Pagliuso, P. G. ; Rosa, P. F. S.

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: PHYSICAL REVIEW B; v. 100, n. 4, p. 7-pg., 2019-07-08.

Resumo

We report electrical transport measurements on CaMn2Bi2 single crystals under applied pressure. At ambient pressure and high temperatures, CaMn2Bi2 behaves as a single-band semimetal hosting Neel order at T-N = 150 K. At low temperatures, multiband behavior emerges along with an activated behavior typical of degenerate semiconductors. The activation gap is estimated to be Delta similar to 20 K. Applied pressure not only favors the antiferromagnetic order at a rate of 0.40(2) K/kbar, but it also enhances the activation gap at 20 kbar by about 70%. This gap enhancement is typical of correlated narrow-gap semiconductors such as FeSi and Ce3Bi4Pt3, and it places CaMn2Bi2 as a Mn-based hybridization-gap semiconductor candidate. Ab initio calculations based on density functional theory are shown to be insufficient to describe the ground state of CaMn2Bi2. (AU)

• Processo FAPESP: 17/25269-3 - Estudos em altas pressões dos compostos SrFe2As2, CeAuBi2 e CaMn2Bi2
• Beneficiário: Mário Moda Piva
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado Direto
• Processo FAPESP: 17/10581-1 - Fenômenos emergentes em sistemas de dimensões reduzidas
• Beneficiário: Pascoal Jose Giglio Pagliuso
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Projetos Especiais
• Processo FAPESP: 15/15665-3 - Estudos dos efeitos de diferenciação orbital das propriedades magnéticas e supercondutoras de compostos à base de FeAs
• Beneficiário: Mário Moda Piva
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto