Niobium Oxide Films Deposited by Reactive Sputtering: Effect of Oxygen Flow Rate

Autor(es)

Fernandes, Silvia L. ; Affonco, Lucas J. ; Junior, Roberto A. R. ; da Silva, Jose H. D. ; Longo, Elson ; Graeff, Carlos F. de O.

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS; v. N/A, n. 151, p. 6-pg., 2019-09-01.

Resumo

Reactive sputtering is a versatile technique used to form compact films with excellent homogeneity. In addition, it allows easy control over deposition parameters such as gas flow rate that results in changes on composition and thus in the film required properties. In this report, reactive sputtering is used to deposit niobium oxide films. A niobium target is used as metal source and different oxygen flow rates to deposit niobium oxide films. The oxygen flow rate was changed from 3 to 10 sccm. The films deposited under low oxygen flow rates show higher electrical conductivity and provide better perovskite solar cells when used as electron transport layer. (AU)

• Processo FAPESP: 13/09963-6 - Construção e caracterização de transistores orgânicos de efeito de campo em arquitetura vertical utilizando materiais nanoestruturados como eletrodo intermediário
• Beneficiário: Luíz Gustavo Simão Albano
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto
• Processo FAPESP: 17/11072-3 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais
• Beneficiário: Silvia Leticia Fernandes
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais
• Beneficiário: Elson Longo da Silva
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs
• Processo FAPESP: 17/18916-2 - Otimização do Crescimento de Filmes de Co3O4 para Aplicações Fotovoltaicas e Fotocatalíticas
• Beneficiário: Jose Humberto Dias da Silva
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular