| Processo: | 13/09963-6 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado Direto |
| Data de Início da vigência: | 01 de setembro de 2013 |
| Data de Término da vigência: | 28 de fevereiro de 2018 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Carlos Frederico de Oliveira Graeff |
| Beneficiário: | Luíz Gustavo Simão Albano |
| Instituição Sede: | Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais, AP.CEPID |
| Bolsa(s) vinculada(s): | 14/25332-9 - Transistores bioprotônicos utilizando filmes finos de eumelanina, BE.EP.DD |
| Assunto(s): | Dispositivos eletrônicos Transistores Materiais nanoestruturados Nanofios Óxido de estanho Nanotubos de carbono Eletrodos |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Eletrônica Orgânica | Melanina | Transistores Orgânicos de Efeito de Campo em Arquitetura Vertical | Dispositivos eletrônicos |
Resumo Este projeto de doutorado direto consiste na construção e caracterização de transistores orgânicos de efeito de campo em arquitetura vertical (VOFETs) utilizando diferentes materiais nanoestruturados como eletrodo intermediário. Atenção especial será dada a obtenção de um eletrodo intermediário que atende as exigências deste tipo de dispositivo, ou seja, um bom condutor elétrico de maneira que o potencial elétrico seja uniforme ao longo de todo o contato e, com alta permeabilidade a campos elétricos. Para isto, propõe-se em utilizar duas nanoestruturas com propriedades atrativas que possibilitam esta aplicação: os nanotubos de carbono (NTCs) e os nanofios de óxido de estanho dopado com índio (nanofios de ITO). Com intuito de se obter filmes finos de alta qualidade baseados nessas nanoestruturas, técnicas de deposição como a dieletroforese, spin-coating e outras serão testadas e avaliadas com objetivo de verificar qual técnica se adequada melhor para a formação de filmes finos com as propriedades requeridas para compor o eletrodo intermediário dos dispositivos. Inicialmente, visando uma melhora significativa nas características elétricas desses dispositivos, as camadas ante e subsequentes dos VOFETs serão construídas utilizando materiais previamente selecionados, tendo como principal variável apenas o eletrodo intermediário. A caracterização dos transistores será feita a partir da obtenção de curvas I x V de três terminais buscando-se obter baixas correntes de fuga, altos valores de transcondutância e altas razões ON/OFF. Por fim, o sucesso desta tecnologia, permitirá o uso de outros materiais nas diferentes camadas dos dispositivos, uma possível alternativa, é o uso da melanina como substituta na camada orgânica. (AU) | |
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa: | |
| Mais itensMenos itens | |
| TITULO | |
| Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ): | |
| Mais itensMenos itens | |
| VEICULO: TITULO (DATA) | |
| VEICULO: TITULO (DATA) | |