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Estudo de materiais e dispositivos para eletrônica orgânica

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Autor(es):
Luíz Gustavo Simão Albano
Número total de Autores: 1
Tipo de documento: Tese de Doutorado
Instituição: Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Faculdade de Ciências (FC)
Data de defesa:
Membros da banca:
José Humberto Dias a Silva; Carlos César Bof Bufon; Marcelo Mulato; Paulo Roberto Bueno
Orientador: Carlos Frederico de Oliveira Graeff
Resumo

Atualmente, a eletrônica baseada em materiais orgânicos vem ganhando visibilidade no cenário científico e tecnológico devido à alta flexibilidade mecânica e baixo custo desses materiais. A fabricação de dispositivos eletrônicos baseados em materiais orgânicos e técnicas de baixo custo é um desafio pertinente e atual. Os transistores merecem destaque por serem a base da tecnologia atual. Em especial, uma arquitetura vertical comumente conhecida como VOFET (Transistor Orgânico de Efeito de Campo em Arquitetura Vertical) vem sendo explorada nos últimos anos. Entretanto, um problema comum em VOFETs é o eletrodo intermediário, o qual deve ser permeável a campos elétricos e apresentar baixa resistência de folha utilizando técnicas com baixo custo de produção. Desta forma, na primeira parte deste trabalho é apresentado o desenvolvimento de um eletrodo intermediário baseado em nanofios de prata utilizando a técnica de baixo custo conhecida como Mayer rod-coating. Os eletrodos otimizados foram aplicados em dispositivos VOFETs, resultando em transistores com densidades de corrente de 2,5 mA/cm2 e razão on/off de 5x103, utilizando tensões de operação de até 2 V. Além dos semicondutores orgânicos comumente sintetizados, corantes naturais também vêm sendo explorados para aplicações em dispositivos eletrônicos. Dentre eles, a melanina desperta atenção por ser um pigmento natural encontrado em vários sistemas biológicos. No corpo humano a melanina é responsável por funções como pigmentação,... (AU)

Processo FAPESP: 13/09963-6 - Construção e caracterização de transistores orgânicos de efeito de campo em arquitetura vertical utilizando materiais nanoestruturados como eletrodo intermediário
Beneficiário:Luíz Gustavo Simão Albano
Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto