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Preparação e caracterização de um transistor orgânico de efeito de campo com arquitetura vertical

Processo: 13/26973-5
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de agosto de 2014
Vigência (Término): 31 de julho de 2016
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Convênio/Acordo: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
Pesquisador responsável:Neri Alves
Beneficiário:Gabriel Leonardo Nogueira
Instituição-sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
Assunto(s):Eletrônica orgânica   Transistores   Circuitos de chaveamento   Óxido de alumínio

Resumo

Os transistores orgânicos surgiram na década de 1980 e tinham por finalidade permitir o estudo das propriedades dos materiais envolvidos. O aumento da mobilidade dos portadores nos semicondutores orgânicos permitiu a fabricação de transistores orgânicos com desempenho razoável, possibilitando algumas aplicações práticas desses dispositivos. Porém, devido à baixa densidade de portadores de carga, o desempenho dos transistores orgânicos ainda é pobre, sendo necessário o desenvolvimento de novas estruturas otimizadas. Uma possibilidade promissora é o transistor de arquitetura vertical, onde os eletrodos de fonte e de dreno estão dispostos horizontalmente e, portanto, a condução da corrente ocorre na direção vertical, sendo a largura do canal determinada pela própria espessura do filme semicondutor. No presente projeto de mestrado propõe-se a preparação de um Transistor Vertical Orgânico de Efeito de Campo (VOFET) utilizando eletrodos de ouro (Au) e de alumínio (Al), poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) como material semicondutor e os isolantes polisilsesquioxano (PSQ) e óxido de alumínio (Al2O3). O P3HT e o PSQ serão depositados por spin-coating, enquanto o Al2O3 será obtido por anodização. A caracterização elétrica dos VOFETs será realizada através da obtenção das curvas de transferência e de saída, através das quais obtém-se parâmetros como a mobilidade, a razão on/off e a Voltagem Limiar de Chaveamento (VT), que permitem avaliar o desempenho do dispositivo. O projeto visa contribuir para a melhoria do desempenho dos transistores orgânicos através da utilização de diferentes arquiteturas de fabricação. Investigações bem sucedidas permitirão o desenvolvimento de dispositivos para a aplicação em circuitos orgânicos flexíveis. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
NOGUEIRA, GABRIEL LEONARDO; OZORIO, MAIZA DA SILVA; DA SILVA, MARCELO MARQUES; MORAIS, ROGERIO MIRANDA; ALVES, NERI. Middle Electrode in a Vertical Transistor Structure Using an Sn Layer by Thermal Evaporation. ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, v. 14, n. 3, p. 319-327, MAY 2018. Citações Web of Science: 0.
Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
NOGUEIRA, Gabriel Leonardo. Preparação e caracterização de um transistor orgânico de efeito de campo com arquitetura vertical. 2016. 94 f. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual Paulista (Unesp) Faculdade de Ciências.

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