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Electronic and spin transport in Bismuthene with magnetic impurities

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Autor(es):
Pezo, Armando ; Lima, Felipe Crasto de ; Fazzio, Adalberto
Número total de Autores: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Solid State Communications; v. 376, p. 6-pg., 2023-10-22.
Resumo

Topological insulators have remained as candidates for future electronic devices since their first experimental realization in the past decade. The existence of topologically protected edge states could be exploited to generate a robust platform and develop quantum computers. In this work we explore the role of magnetic impurities in the transport properties of topological insulators, in particular, we study the effect on the zigzag bismuthene nanoribbon edge states conductivity. By means of realistic ab initio calculations we simulate the interaction between magnetic adatoms and topological insulators, furthermore, our main goal is to obtain the transport properties for large samples as it would be possible to localize edge states at large scales. (AU)

Processo FAPESP: 17/18139-6 - Machine learning e Ciência de Materiais: descoberta e design de materiais 2D
Beneficiário:Gabriel Ravanhani Schleder
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 17/02317-2 - Interfaces em materiais: propriedades eletrônicas, magnéticas, estruturais e de transporte
Beneficiário:Adalberto Fazzio
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 19/04527-0 - Interface entre isolantes topológicos cristalinos e materiais 2D-trivial: estudo de proximidade via defeitos
Beneficiário:Bruno Focassio
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto
Processo FAPESP: 16/14011-2 - Propriedades eletrônicas: interfaces entre isolantes topológicos (TI-TI)
Beneficiário:Marcio Jorge Teles da Costa
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado