Insights into the Morphology and Structural Defects of Eu-Doped Ceria Nanostructures for Optoelectronic Applications in Red-Emitting Devices

Autor(es)

Ortega, Pedro Paulo ; Amoresi, Rafael Aparecido Ciola ; Teodoro, Marcio Daldin ; Merizio, Leonnam Gotardo ; Ramirez, Miguel Angel ; Aldao, Celso Manuel ; Malagu, Cesare ; Ponce, Miguel Adolfo ; Longo, Elson ; Simors, Alexandre Zirpoli

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: ACS APPLIED NANO MATERIALS; v. 7, n. 11, p. 14-pg., 2024-05-22.

Resumo

In this work, we investigated the synthesis temperature effect on the crystal growth of Eu-doped ceria nanostructures synthesized via the microwave-assisted hydrothermal method and how it influences their red-light emission. Sphere-like nanoparticles, nanorods, nanorods/nanocubes, and nanocubes were obtained by gradually increasing the synthesis temperature. The structural analysis revealed that the nanocubes displayed higher crystallinity and lower structural disorder in comparison to the other morphologies. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectroscopy showed that oxygen vacancies were the predominant defect. The intensity of the photoluminescence emissions of the nanocubes was 60 times higher than that of the sphere-like nanoparticles and nanorods, indicating that the structural symmetry in this morphology is suitable for doping with Eu3+, displaying greater photoluminescence efficiency. The nanocubes also displayed excellent red-light emission, with coordinates (0.63,0.37) close to the red RGB primary at (0.64, 0.32). The lifetime values increased with higher synthesis temperatures. This trend suggests a structural correlation of different morphologies, defects, and homogeneity of the Eu3+ distribution in the crystal lattice and the photoluminescence emission and quenching. Therefore, we showed that controlling the morphology of Eu-doped CeO2 nanostructures is a powerful tool to improve its photoluminescence properties, which is valuable for applications as a red phosphor. (AU)

• Processo FAPESP: 23/07486-8 - Modificação superficial de semicondutores nanoestruturados por irradiação com laser de femtosegundos e com feixe de elétrons visando a fabricação de sensores de gás
• Beneficiário: Pedro Paulo da Silva Ortega
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais
• Beneficiário: Elson Longo da Silva
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs
• Processo FAPESP: 19/21770-5 - Materiais luminescentes incorporados à vidros: novos compósitos para aplicações em iluminação de segurança e detectores de radiação
• Beneficiário: Leonnam Gotardo Merizio
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 18/26550-0 - Estudo dos mecanismos de condução e defeitos de interface em semicondutores não estequiométricos com diferentes morfologias
• Beneficiário: Pedro Paulo da Silva Ortega
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Processo FAPESP: 21/10780-0 - Filmes de céria dopada com európio fabricados por screen-printing e sua caracterização para o sensoriamento seletivo de monóxido de carbono
• Beneficiário: Pedro Paulo da Silva Ortega
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
• Processo FAPESP: 17/19143-7 - Uma abordagem teórico-experimental dos mecanismos de condução e defeitos de interface em heteroestruturas sensoras baseados em semicondutores P-N e N-N a partir de matrizes de CeO2
• Beneficiário: Rafael Aparecido Ciola Amoresi
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado