Neutron-induced effects on a commercial GaN High Electron Mobility Transistor

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Vilas Boas, Alexis Cristiano ; Alberton, Saulo Gabriel ; Garcia, Paulo Roberto ; Medina, Nilberto H. ; Aguiar, Vitor Angelo P. ; Melo, Marco Antonio A. ; Santos, Roberto Baginski B. ; Giacomini, Renato C. ; Cavalcante, Tassio, V ; Seixas Jr, Luis Eduardo ; Finco, Saulo ; Palomo Pinto, Francisco Rogelio ; Guazzelli, Marcilei

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: 2024 38TH SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND DEVICES, SBMICRO 2024; v. N/A, p. 4-pg., 2024-01-01.

Resumo

This work explores the effects observed in a commercial-off-the-shelf (COTS) GaN HEMT when exposed to a monoenergetic 14 MeV fast neutron source. The results emphasize the significance of both the device's technology and the neutron source set up for such conditions. (AU)

• Processo FAPESP: 22/09131-0 - Efeito de Dose Total Ionizante em transistores de Potência PMOS
• Beneficiário: Paulo Roberto Garcia Junior
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Processo FAPESP: 23/16053-8 - Sistema de Feixes Iônicos para IRradiações e Aplicações (SAFIIRA)
• Beneficiário: Nilberto Heder Medina
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 20/04867-2 - Física e instrumentação de altas energias com o LHC-CERN
• Beneficiário: Marcelo Gameiro Munhoz
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Projetos Especiais
• Processo FAPESP: 18/25225-9 - Centro de Pesquisa e Análise de São Paulo
• Beneficiário: Sergio Ferraz Novaes
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Projetos Especiais