Autor(es)

Araujo, A. L. ; de Lima, F. Crasto ; Fazzio, A.

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: PHYSICAL REVIEW MATERIALS; v. 8, n. 12, p. 7-pg., 2024-12-05.

Resumo

Half-Heusler compounds are known for their various compositions and multifunctional properties including topological phases. In this paper, we investigate the topological classification of this class of materials based on the ordering of the P6 and P8 states, and a previously overlooked P6 & lowast; state, during an adiabatic expansion process. Using first-principles calculations based on density functional theory, we observed that the nontrivial topology is governed by a three-band mechanism. We provide a simple model derived from the k <middle dot> p Hamiltonian that interprets the topological phase in half-Heusler systems. Additionally, we explore the robustness of the topological phase under tension and a different perspective on the topological nature of half-Heusler compounds. (AU)

• Processo FAPESP: 22/08478-6 - Investigação de estados topológicos de superfície para o design de dispositivos quânticos
• Beneficiário: Augusto de Lelis Araújo
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 23/12336-5 - Defeitos Nativos e amorfos controlando propriedades em materiais 2D
• Beneficiário: Augusto de Lelis Araújo
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 19/20857-0 - Materiais bidimensionais e fases topológicas: predição e controle de suas propriedades
• Beneficiário: Felipe David Crasto de Lima
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 17/02317-2 - Interfaces em Materiais: Propriedades Eletrônicas, Magnéticas, Estruturais e de Transporte
• Beneficiário: Adalberto Fazzio
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Processo FAPESP: 23/09820-2 - Design de materiais: dos materiais quânticos às aplicações em energia.
• Beneficiário: Gustavo Martini Dalpian
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático