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Unveiling the Superiority of naphthylene over biphenylene in silicon carbide 2D Architectures

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Autor(es):
Laranjeira, Jose A. S. ; Martins, Nicolas F. ; Azevedo, Sergio A. ; Denis, Pablo A. ; Sambrano, Julio R.
Número total de Autores: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE; v. 251, p. 8-pg., 2025-03-01.
Resumo

In recent years, silicon carbide (SiC) has once again become a target of interest in the materials science community, this time with particular interest in two-dimensional materials, which have attracted attention due to their large surface area and infinitesimal volume. In this sense, this study introduces a novel SiC structure based on the recently reported naphthylene lattice, termed INP-SiC. It compares its electronic, mechanical and vibrational properties with the well-reported biphenylene-like SiC (BPN-SiC) via density functional theory (DFT) simulations. Both monolayers are stable at 300 K and exhibit high electron mobility, with INP-SiC reaching 94.890 102 cm2/V.s. INP-SiC also shows superior mechanical robustness, with Young's modulus (171.65 N/m) comparable to g-SiC (178.02 N/m) and T-SiC (182.22 N/m). Overall, this work is dedicated to showing the INPSiC potential as a multifunctional 2D platform. (AU)

Processo FAPESP: 24/05087-1 - Funcionalização na superfície de Mxenes de carbetos e nitretos para o armazenamento de hidrogênio
Beneficiário:Nicolas Ferreira Martins
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 22/16509-9 - Simulações computacionais de heteroestruturas baseadas em dicalcogenetos metálicos de transição, MXenos e novos alótropos do carbono
Beneficiário:José Artigas dos Santos Laranjeira
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 22/03959-6 - Estruturas bidimensionais para armazenamento de energia e sensores de gases: a teoria direcionada a experimentalistas e para a divulgação científica
Beneficiário:Julio Ricardo Sambrano
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 20/01144-0 - Propriedades eletrônicas, estruturais dos compostos ABO4 (A = Ba, Ca, Cd, Sr e Pb e M = Mo e W) e modelagem das transformações morfológicas de suas nanopartículas
Beneficiário:José Artigas dos Santos Laranjeira
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado