| Texto completo | |
| Autor(es): |
Hasimoto, Leonardo H.
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das Neves, Matheus F. F.
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Perfecto, Tarcisio M.
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Bettini, Jefferson
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Leite, Edson R.
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Capaz, Rodrigo B.
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Santhiago, Murilo
Número total de Autores: 7
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | ACS APPLIED ENERGY MATERIALS; v. N/A, p. 9-pg., 2025-10-03. |
| Resumo | |
The introduction of defects is crucial for tuning the electrocatalytic activity of MoS2 monolayers on the basal plane toward the hydrogen evolution reaction (HER). Hydrogen peroxide is a mild, metal-free, and carbon-free oxidant that can activate the basal plane to enhance the HER activity. Depending on the experimental conditions, H2O2 can lead to the formation of edge-like defects and vacancies on the basal plane. In this work, we demonstrate for the first time that exposure to H2O2 solution induces both local strain and sulfur vacancy on MoS2 monolayers. Using high-resolution transmission electron microscopy, we tracked the same sample to understand the significant effects of H2O2 on free-standing MoS2 monolayers at both nanoscale and atomic resolutions. We measured the electrocatalytic activity of the monolayers without introducing unintentional defects associated with the microfabrication process. Our findings revealed an anodic shift in the overpotential required to drive the HER. Thus, our work provides a fundamental basis for understanding the chemical transformations of MoS2 monolayers following the defect engineering step. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 23/15689-6 - Avaliação do impacto da inserção de defeitos nas propriedades elétricas e eletroquímicas em monocamadas de MoS2 |
| Beneficiário: | Matheus Felipe Fagundes das Neves |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Processo FAPESP: | 23/17576-4 - Geração controlada de defeitos químicos no plano basal do dissulfeto de molibdênio (MoS2) |
| Beneficiário: | Murilo Santhiago |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 24/00989-7 - Centro de Pesquisa em Engenharia Molecular para Materiais Avançados (CEMol) |
| Beneficiário: | Edson Roberto Leite |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs |
| Processo FAPESP: | 22/14720-4 - Dos Átomos às Cerâmicas: Um Estudo de Microscopia Eletrônica de Transmissão sobre o Desenvolvimento de Materiais Transparentes |
| Beneficiário: | Tarcísio Micheli Perfecto |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Processo FAPESP: | 22/00955-0 - Estudo da influência de deformações mecânicas no desempenho de dispositivos esticáveis baseados em MoS2 para aplicação na área de energia |
| Beneficiário: | Leonardo Hideki Hasimoto |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 24/15173-2 - EMU concedido no processo 2023/17576-4: potenciostato/galvanostato com módulo de baixa corrente e módulo de impedância |
| Beneficiário: | Murilo Santhiago |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Programa Equipamentos Multiusuários |