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(Referência obtida automaticamente do Google Scholar, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Electronic scattering in doped finite superlattices

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Autor(es):
Henriques‚ AB ; Souza‚ PL ; Yavich‚ B.
Número total de Autores: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 64, n. 4, p. 045319, 2001.
Processo FAPESP: 99/12694-8 - Propriedades eletronicas de super-redes semicondutoras.
Beneficiário:Andre Bohomoletz Henriques
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 99/10359-7 - Pesquisas em semicondutores em baixas temperaturas e campos magnéticos intensos
Beneficiário:Nei Fernandes de Oliveira Junior
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático