Busca avançada
Ano de início
Entree


Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/GalnP

Texto completo
Autor(es):
Marcio Roberto Martins
Número total de Autores: 1
Tipo de documento: Dissertação de Mestrado
Imprenta: São Carlos. , gráficos, ilustrações, tabelas.
Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT)
Data de defesa:
Membros da banca:
José Bras Barreto de Oliveira; Euclydes Marega Junior; Eliermes Arraes Meneses
Orientador: José Bras Barreto de Oliveira
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Indexada em: Banco de Dados Bibliográficos da USP-DEDALUS
Localização: Universidade de São Paulo. Biblioteca do Instituto de Física de São Carlos; IFSC-F/Te1479
Notas: Programa Interunidades em Ciência e Engenharia de Materiais: EESC/IFSC/IQSC-USP
Resumo

No presente trabalho concentramos nossos estudos nas propriedades do sistema GaInP/GaAs, particularmente nas propriedades estruturais das interfaces e sua correlação com as propriedades ópticas. Subdividimos esta dissertação em duas partes principais, a primeira trata da investigação de amostras crescidas por CBE (Chemical Beam Epitaxy), onde no crescimento das interfaces variou-se diversos parâmetros. visando a melhoria do perfil das interfaces. Desse estudo concluímos que o crescimento de uma camada de GaP na primeira interface (GaAs crescido sobre GaInP) pode melhorar sua qualidade. A partir desta informação, na segunda parte, realizamos estudo para um conjunto de amostras crescidas pela técnica MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) com diferentes larguras de poços, e contendo uma monocamada de GaP na primeira interface. Os dados experimentais obtidos nesta segunda parte foram analisados à luz do modelo dos mínimos locais e absolutos e da mecânica estatística predictiva. A análise dos nossos resultados experimentais, usando os modelos teóricos, mostrou-se consistente e coerente. Ainda, por meio da mecânica estatística predicitiva ajustamos os dados experimentais de PL e obtivemos outras duas grandezas físicas, a energia cinética média dos portadores e o índice entrópico informacional, usados para indicar a qualidade das interfaces. Finalmente, observando que os modelos utilizados descreviam com sucesso os resultados experimentais, passamos a analisar um conjunto de amostras no qual mantivemos todos os demais parâmetros de crescimento fixos e variamos a espessura da camada de GaP na primeira interface. A análise mostrou excelente consistência e coerência dos resultados, permitindo confirmar a potencialidade dos modelos teóricos utilizados no tratamento dos dados experimentais e também ampliar a compreensão sobre o papel da camada de GaP na uniformização das interfaces dos poços quânticos de GaInP/GaAs (AU)