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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Boron site preference in ternary Ta and Nb boron suicides

Texto completo
Autor(es):
Khan, Atta U. [1] ; Nunes, Carlos A. [2] ; Coelho, Gilberto C. [2, 3] ; Suzuki, Paulo A. [2] ; Grytsiv, Andriy [1] ; Bourree, Francoise [4] ; Giester, Gerald [5] ; Rogl, Peter F. [1]
Número total de Autores: 8
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Vienna, Inst Phys Chem, A-1090 Vienna - Austria
[2] Univ Sao Paulo, Escola Engn Lorena, BR-12602810 Lorena, SP - Brazil
[3] Ctr Univ Volta Redonda, BR-27240560 Volta Redonda, RJ - Brazil
[4] CEA Saclay, Lab Leon Brillouin, F-91191 Gif Sur Yvette - France
[5] Univ Vienna, Inst Mineral & Crystallog, A-1090 Vienna - Austria
Número total de Afiliações: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Journal of Solid State Chemistry; v. 190, p. 1-7, JUN 2012.
Citações Web of Science: 4
Resumo

X-ray single crystal (XSC) and neutron powder diffraction data (NPD) were used to elucidate boron site preference for five ternary phases. Ta3Si1-xBx (x=0.112(4)) crystallizes with the Ti3P-type (space group P4(2)/n) with B-atoms sharing the 8g site with Si atoms. Ta5Si3-x (x=0.03(1); Cr5B3- type) crystallizes with space group 14/mcm, exhibiting a small amount of vacancies on the 4 alpha site. Both, Ta-5(Si1-xBx)(3), X=0.568(3), and Nb-5(Si1-xBx)(3), x=0.59(2), are part of solid solutions of M5Si3 with Cr5B3-type into the ternary M-Si-B systems (M=Nb or Ta) with B replacing Si on the 8h site. The D8(8)-phase in the Nb-Si-B system crystallizes with the Ti5Ga4-type revealing the formula Nb5Si3B1-x (x=0.292(3)) with B partially filling the voids in the 2b site of the Mn5Si3 parent type. (C) 2012 Elsevier Inc. All rights reserved. (AU)

Processo FAPESP: 97/06348-4 - Estudo de estabilidade de fases em ligas Nb-B-Si ricas em Nb
Beneficiário:Carlos Angelo Nunes
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores