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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Electron transport properties of undoped SnO2 monocrystals

Texto completo
Autor(es):
Lanfredi, Alexandre J. C. [1] ; Geraldes, Renan R. [2] ; Berengue, Olivia M. [2] ; Leite, Edson R. [3] ; Chiquito, Adenilson J. [2]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed ABC, Ctr Engn Modelagem Ciencias Sociais Aplicadas, BR-09210170 Sao Paulo - Brazil
[2] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13565905 Sao Paulo - Brazil
[3] Univ Fed Sao Carlos, Lab Interdisciplinar Eletroquim & Ceram, Dept Quim, BR-13565905 Sao Paulo - Brazil
Número total de Afiliações: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Journal of Applied Physics; v. 105, n. 2 2009.
Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
Notas: Revista de acesso aberto, artigo número 023708. O artigo da revista consta como produto de dois processos: 07/51316-7 em nome de Olivia Maria Berengue; e 07/54824-3 em nome de Edson Roberto Leite
Citações Web of Science: 21
Assunto(s):Materiais não metálicos   Nanocompósitos   Nanopartículas   Transporte de elétrons
Resumo

Using low-resistance indium contacts, we measured some transport properties of undoped vapor-liquid-solid grown tin oxide monocrystals with a belt shape. From the transport measurements, the two following conduction mechanisms were investigated: thermal activation and variable range hopping. An energy gap of 3.8 eV was found. The energy gap was confirmed by thermally activated measurements in the range between 10 and 300 K. For high temperatures (T>300 K), the influence of the disorder caused by the superficial ions layer is measurable. The electron transport in this case was found to be governed by the well known variable range hopping mechanism and the spatial extension of carrier's wavelength was calculated to be 4 nm. (AU)

Processo FAPESP: 07/51316-7 - Estudo das propriedades eletrônicas e ópticas de nanofios semicondutores e metálicos baseados em óxidos de estanho e índio
Beneficiário:Olivia Maria Berengue
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado