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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Anisotropy of electron and hole g-factors in (In,Ga)As quantum dots

Texto completo
Autor(es):
Schwan, A. [1] ; Meiners, B. -M. [1] ; Greilich, A. [1] ; Yakovlev, D. R. [1] ; Bayer, M. [1] ; Maia, A. D. B. [2] ; Quivy, A. A. [2] ; Henriques, A. B. [2]
Número total de Autores: 8
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Tech Univ Dortmund, D-44227 Dortmund - Germany
[2] Univ Sao Paulo, Inst Fis, BR-05314970 Sao Paulo - Brazil
Número total de Afiliações: 2
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Applied Physics Letters; v. 99, n. 22 NOV 28 2011.
Citações Web of Science: 29
Resumo

The g-factor tensors of electron and hole in self-assembled (In,Ga)As/GaAs quantum dots are studied by time-resolved ellipticity measurements in a three dimensional vector magnet system. Both g-factor tensors show considerable deviations from isotropy. These deviations are much more pronounced for the hole than for the electron and are described by different anisotropy factors, which can even have opposite signs. (C) 2011 American Institute of Physics. {[}doi:10.1063/1.3665634] (AU)

Processo FAPESP: 10/10452-8 - Espectroscopia de harmônicos múltiplos, orientação de spin e magnetização instantânea utilizando-se a luz
Beneficiário:Andre Bohomoletz Henriques
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular