Estudo de um diodo schottky de beta-Ga2O3 visando aplicações transparentes a luz solar

Resumo

Um modo interessante de produzir um sensor de UV é integrar um diodo e um transistor. No entanto, se você deseja fabricar esse circuito sem encapsulamento, é necessário usar um filtro de bloqueio para impedir a alteração dos parâmetros dos dispositivos. O óxido de gálio (Ga2O3) é um material interessante devido ao seu largo bandgap de ~4,9 eV que o torna um candidato ideal para dispositivos transparentes a luz solar e sensor de UV profundo. A fase ² do Ga2O3 é a mais quimicamente e termodinamicamente estável e, por isso, é a mais utilizada nas aplicações em dispositivos eletrônicos. Essa fase também apresenta grande potencial pois suporta alto campo elétrico, o que é vantajoso para a redução do tamanho do dispositivo e aprimora o nível de integração dos módulos de potência. Nosso objetivo é obter filmes de ²-Ga2O3 por evaporação térmica ou spray pyrolysis de um precursor acetilacetonato de gálio (Ga(acac)3),visando a sua aplicação como transistor transparente a luz solar em um fotodetector UV. Para isso caracterizaremos a morfologia, estrutura e propriedades ópticas do filme. Também vamos usar a configuração do diodo Schottky como plataforma de teste de dispositivo para iniciar a caracterização das propriedades elétricas dos filmes.