Modelagem teórica de estados ionizados em sistemas complexos de silício
- Auxílios pontuais (curta duração)
| Processo: | 18/23172-5 |
| Linha de fomento: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Vigência: | 01 de maio de 2019 - 30 de abril de 2020 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Metalurgia Física |
| Pesquisador responsável: | Roberto Gomes de Aguiar Veiga |
| Beneficiário: | Roberto Gomes de Aguiar Veiga |
| Instituição-sede: | Centro de Engenharia, Modelagem e Ciências Sociais Aplicadas (CECS). Universidade Federal do ABC (UFABC). Ministério da Educação (Brasil). Santo André , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Materiais Ligas metálicas Potenciais interatômicos Simulated annealing Simulação por computador |
Resumo
Simulações atomísticas de dinâmica molecular e Monte Carlo para sistemas com milhares ou mesmo milhões de átomos requerem que as interações entre os átomos sejam descritas por meio de funções analíticas simples. Essas funções são chamadas de potenciais interatômicos (ou de force fields) e substituem a solução, muito mais cara computacionalmente, da equação de Schroedinger. O desenvolvimento de bons potenciais interatômicos é portanto uma tarefa crucial e a falta desses potenciais para vários materiais de grande interesse acadêmico e industrial representa um sério inconveniente e uma limitação para o avanço dessas simulações. Este projeto tem por objetivo inicial concluir o desenvolvimento de um código computacional que emprega o algoritmo de simulated annealing para obter potenciais interatômicos a partir de dados de referência de primeiros princípios. Subsequentemente, o código será utilizado para obter esses potenciais para materiais, particularmente ligas metálicas, que são de interesse para as linhas de pesquisa que o autor da proposta já vem desenvolvendo, inclusive em projetos que foram financiados pela FAPESP. (AU)