Mecanismo de formação de estruturas porosas de silício anodizado

• Processo: 93/00961-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 1993
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 1995
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
• Pesquisador responsável: Omar Teschke
• Beneficiário: Omar Teschke
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Coloides Silício poroso Anodização Tensão interfacial Luminescência
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Camadas Coloidais | Formacao De Poros | Luminescencia | Silicio Poroso | Turbulencia Interfacial

Resumo

Neste trabalho vamos investigar os mecanismos de formação de poros resultantes da anodização do Si em soluções de HF. Vamos analisar as estruturas formadas no silício poroso (SP) por SEM, TEF , AFM e Raio-X. Medir a variação da tensão interfacial e tentar estabelecer uma correlação entre o tamanho dos poros formados no SP e o gradiente de tensão interfacial. Observar a correlação entre a estrutura do SP e sua luminescência e tentar estabelecer qual o mecanismo responsável pela mesma. (AU)