Passivação da superfície de fotodiodos de InGaAs/InP usando recrescimento de InP

• Processo: 20/05397-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Publicações científicas - Artigo
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2020
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2020
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: Gustavo Soares Vieira
• Beneficiário: Gustavo Soares Vieira
• Instituição Sede: Instituto de Estudos Avançados (IEAv). Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial (DCTA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dispositivos Semicondutores | Fotodiodos de InGaAs | sensores de infravermelho | Dispositivos semicondutores

Resumo

O uso de InP epitaxialmente recrescido sobre In0.53Ga0.47As para passivação das superfícies laterais de fotodiodos é investigado. O efeito da camada recrescida foi examinado por medidas fotoluminescência e corrente de escuro, e comparado com os resultados obtidos com passivação por camadas de SiO2 e Al2O3.A intensidade integrada da fotoluminescência do InGaAs coberto pelo InP aumentou por um fator entre 15,5 e 58,9, dependendo do comprimento de onda de excitação, indicando uma forte redução da recombinação não radiativa. Espera-se que esta redução seja o resultado de uma forte redução dos estados de superfície de energia na faixa da banda proibida. Para medidas similares de fotoluminescência efetuadas com passivações por SiO2 e Al2O3, houve uma redução da intensidade da fotoluminescência. A corrente de escuro dos fotodiodos p-i-n mostraram resultados menos contundentes, um fato que acreditamos esteja provavelmente relacionado dopagem residual da camada recrescida de InP. (AU)