Aplicação da espectroscopia Raman ao estudo de materiais e de estruturas semicondutoras

• Processo: 93/04375-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1994
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1995
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Claudio Galzerani
• Beneficiário: Jose Claudio Galzerani
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Heteroestruturas Filmes finos Efeito Raman Espectroscopia Raman
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao | Espalhamento Raman | Fonos | Hetero-Estruturas | Interface | Semicondutores

Resumo

O presente projeto visa explorar a potencialidade da espectroscopia Raman na análise de materiais semicondutores e estruturas compostas de semicondutores. Dentre os principais tópicos a serem abordados, destacamos: a) o estudo de interfaces metal-semicondutor (utilizadas em contatos ôhmicos e retificadores) que já vem sendo nosso objeto de estudo utilizando outras técnicas e; b) a análise de materiais e estruturas semicondutoras, crescidas por MBE e CBE, tais como filmes finos, hetero-estruturas, poços quânticos e fios quânticos. (AU)