Ressonância de Spin Ajustável por Voltagem em Material Quantico Com Separação Fase

• Processo: 25/06075-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Publicações científicas - Artigo
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2025
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2025
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Diego Muraca
• Beneficiário: Diego Muraca
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado à bolsa: 24/03819-5 - Materiais para dispositivos quânticos de computação neuromórfica, BP.IC
• Assunto(s): Ressonância paramagnética eletrônica Materiais quânticos Sistemas fortemente correlacionados
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Computação Neuromórfica | Comutação resistiva | epr | materiais quânticos | Sistemas Fortemente Correlacionados | Magnetismo, EPR

Resumo

O controle de voltagem dos graus de liberdade de spin e carga em materiais complexos é uma pedra angular para a realização de dispositivos eletrônicos avançados com funcionalidades aprimoradas. Aqui, demonstramos o controle indireto de corrente in situ via efeito Joule dos parâmetros de ressonância de spin em uma amostra de La5/8¿yPryCa3/8MnO3 com separação fase, ao mesmo tempo em que induzimos a comutação resistiva. Ao empregar a espectroscopia de ressonância paramagnética eletrônica (EPR) sob uma voltagem de polarização aplicada, observamos modificações nítidas e reversíveis nos espectros de EPR - largura de linha, campo de ressonância e intensidade - simultaneamente com transições conduzidas por voltagem entre os estados metálico ferromagnético (FMM) e ordenado por carga paramagnético (PM-CO). Essa sondagem em tempo real da ressonância de spin durante a comutação resistiva fornece insights cruciais sobre a interação entre os graus de liberdade de spin, carga e rede, elucidando os papéis distintos das fases FMM e PM-CO no comportamento observado. Essas descobertas abrem caminho para o desenvolvimento de novos dispositivos spintrônicos e neuromórficos com funcionalidades ajustáveis ¿¿por voltagem. (AU)