Estudo simulado do funcionamento de transistores avançados operando em ambientes hostis

• Processo: 25/05680-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2025
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2028
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: Vanessa Cristina Pereira da Silva Venuto
• Beneficiário: Vanessa Cristina Pereira da Silva Venuto
• Instituição Sede: Escola de Engenharia de São Carlos (EESC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Microeletrônica Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Microeletrônica | Transistores FINFETS | Transistores MOSFET | Transistores Nanofio | Micro e Nano eletrônica

Resumo

Nas últimas décadas, tem havido uma crescente necessidade por circuitos integrados (CI) que sejam mais rápidos e consumam menos energia. Como resultado, a demanda por dispositivos capazes de atender a essas expectativas têm aumentado. Isso tem levado as áreas de pesquisa a se esforçarem ainda mais para criar dispositivos com geometrias inovadoras e novos materiais, a fim de alcançar o desempenho desejado, reduzindo ou até mesmo eliminando a influência de efeitos indesejados. À medida que novas estruturas com dimensões cada vez menores são desenvolvidas, a evolução tecnológica está pronta para atender às expectativas estabelecidas pela lei de Moore.Os transistores são os principais componentes implementados em circuitos eletrônicos, sendo necessário entender o seu comportamento sob diversas condições de operações. Um método ágil e eficaz de analisar transistores operando em ambientes hostis, é através da simulação numérica de dispositivos. Ao simular o dispositivo é possível prever o seu comportamento ao variar a temperatura. Na indústria automobilística, por exemplo, os circuitos estão sujeitos à altas temperaturas, sendo importante realizar uma análise desse cenário. Ou na indústria espacial, onde os circuitos estão sujeitos à baixas temperaturas e à radiação ionizante, fenômeno que pode ser analisado por meio da influência de cargas no óxido e de interface. (AU)