Crescimento de semicondutores do grupo IV-VI por MBE

• Processo: 95/00845-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1995
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 1996
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Iraja Newton Bandeira
• Beneficiário: Iraja Newton Bandeira
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Crescimento epitaxial Epitaxia por feixe molecular
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Camadas Epitaxiais | Compostos Iv-Vi | Detetores Infravermelhos | Digitalizacao De Imagens | Hot Wall Epitaxy - Hwe | Molecular Meam Epitaxy - Mbe

Resumo

Dar continuidade ao crescimento de camadas epitaxiais de compostos semicondutores do grupo IV-VI (PbSnTe) através da técnica de Hot Wall Epitaxy HWE para investigação de suas propriedades e desenvolvimento de dispositivos opto-eletrônicos para o infravermelho termal (5 - 15 μm). Instalação e insumos necessários à operação de um sistema de Molecular Beam Epitaxy MBE, modelo 32P da Riber, configurado para crescimento de compostos IV-VI, que deve chegar ao LAS/INPE em meados de 1995. Aquisição de um sistema de digitalização de figuras de difração geradas por RHEED, para facilitar a determinação da composição das camadas e tornar possível a analise de sua estrutura através das medidas de oscilações RHEED. (AU)