Busca avançada
Ano de início
Entree

Crescimento de Ponto Quânticos Auto-Organizados de InAs Dopados com Manganês

Processo: 11/01137-4
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de setembro de 2011
Vigência (Término): 31 de janeiro de 2014
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Euclydes Marega Junior
Beneficiário:Fabio Aparecido Ferri
Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Bolsa(s) vinculada(s):12/24286-8 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos auto-organizados de InAs dopados com manganês, BE.EP.PD
Assunto(s):Pontos quânticos   Análise espectroscópica   Semicondutores magnéticos   Microscopia   Ferromagnetismo
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Epitaxia por Feixes Moleculares | ferromagnetismo | microscopia | pontos quânticos | semicondutores magnéticos | técnicas espectroscópicas | Magnetismo e Materiais Magnéticos

Resumo

Este projeto de pesquisa tem como objetivo principal o crescimento de pontos quânticos auto-organizados de InAs dopados com Manganês através da técnica de epitaxia por feixes moleculares (MBE). A presente proposta torna-se possível em virtude do projeto Multiusuário FAPESP (processo 2009/54033-1) recentemente aprovado para a aquisição e instalação (outubro/novembro 2011) de um novo sistema de MBE no Instituto de Física de São Carlos da Universidade de São Paulo (IFSC/USP), com o propósito de realizar o crescimento de compostos semicondutores do grupo III-V diluídos com materiais magnéticos. Tendo isto em vista, a idéia básica por trás deste projeto de pós-doutoramento é a tentativa da diluição efetiva do Manganês nas nanoestruturas de InAs e o estudo do efeito de confinamento desta impureza nas propriedades do material, tema de grande interesse acadêmico/tecnológico e ainda com inúmeras questões que permanecem em aberto. Basicamente, a estrutura/composição/morfologia das amostras produzidas será caracterizada através de técnicas de raios-X, espectroscopia Raman, fotoluminescência, e por medidas de microscopias de varredura eletrônica e força atômica. Em nível atômico, pretende-se caracterizar as amostras por microscopia de tunelamento na configuração de cross-section, em colaboração com o grupo do Prof. Paul Koenraad (Universidade de Eindhoven/Holanda). Ainda, medidas magnéticas serão obtidas através de experimentos de susceptibilidade magnética e magnetização como função da temperatura, e por eventuais medidas de microscopia de força magnética. De uma forma geral, as propriedades magnéticas das amostras serão então estudadas em função da composição, da morfologia, e dos padrões estruturais obtidos. Com isso, esperamos poder avançar significativamente no entendimento, essencialmente, das propriedades magnéticas, e dos mecanismos responsáveis pelo crescimento e formação de pontos quânticos de InAs dopados com impurezas magnéticas.

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa:
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias (0 total):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)