Crescimento de Ponto Quânticos Auto-Organizados de InAs Dopados com Manganês

• Processo: 11/01137-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2011
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2014
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Euclydes Marega Junior
• Beneficiário: Fabio Aparecido Ferri
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Bolsa(s) vinculada(s): 12/24286-8 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos auto-organizados de InAs dopados com manganês, BE.EP.PD
• Assunto(s): Pontos quânticos Análise espectroscópica Semicondutores magnéticos Microscopia Ferromagnetismo
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Epitaxia por Feixes Moleculares | ferromagnetismo | microscopia | pontos quânticos | semicondutores magnéticos | técnicas espectroscópicas | Magnetismo e Materiais Magnéticos

Resumo

Este projeto de pesquisa tem como objetivo principal o crescimento de pontos quânticos auto-organizados de InAs dopados com Manganês através da técnica de epitaxia por feixes moleculares (MBE). A presente proposta torna-se possível em virtude do projeto Multiusuário FAPESP (processo 2009/54033-1) recentemente aprovado para a aquisição e instalação (outubro/novembro 2011) de um novo sistema de MBE no Instituto de Física de São Carlos da Universidade de São Paulo (IFSC/USP), com o propósito de realizar o crescimento de compostos semicondutores do grupo III-V diluídos com materiais magnéticos. Tendo isto em vista, a idéia básica por trás deste projeto de pós-doutoramento é a tentativa da diluição efetiva do Manganês nas nanoestruturas de InAs e o estudo do efeito de confinamento desta impureza nas propriedades do material, tema de grande interesse acadêmico/tecnológico e ainda com inúmeras questões que permanecem em aberto. Basicamente, a estrutura/composição/morfologia das amostras produzidas será caracterizada através de técnicas de raios-X, espectroscopia Raman, fotoluminescência, e por medidas de microscopias de varredura eletrônica e força atômica. Em nível atômico, pretende-se caracterizar as amostras por microscopia de tunelamento na configuração de cross-section, em colaboração com o grupo do Prof. Paul Koenraad (Universidade de Eindhoven/Holanda). Ainda, medidas magnéticas serão obtidas através de experimentos de susceptibilidade magnética e magnetização como função da temperatura, e por eventuais medidas de microscopia de força magnética. De uma forma geral, as propriedades magnéticas das amostras serão então estudadas em função da composição, da morfologia, e dos padrões estruturais obtidos. Com isso, esperamos poder avançar significativamente no entendimento, essencialmente, das propriedades magnéticas, e dos mecanismos responsáveis pelo crescimento e formação de pontos quânticos de InAs dopados com impurezas magnéticas.