| Processo: | 25/15316-0 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Reunião - Brasil |
| Data de Início da vigência: | 25 de agosto de 2025 |
| Data de Término da vigência: | 29 de agosto de 2025 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos |
| Pesquisador responsável: | Marcos Vinicius Puydinger dos Santos |
| Beneficiário: | Marcos Vinicius Puydinger dos Santos |
| Instituição Sede: | Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 24/00998-6 - Centro de Pesquisa e Inovação de Materiais Inteligentes e Quânticos (CRISQuaM), AP.CEPID |
| Assunto(s): | Carbeto de silício Transistores MOSFET |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Carbeto de silício | Mosfet | Nanofabricação | Nanofios de silício | Piezoresistência Gigante | Silício tensionado mecanicamente | Microeletrônica e Nanofabricação |
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio: |
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