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Eficiencia de colecao de celulas solares de silicio monocristalino irradiadas com eletrons de 1 mev.

Processo: 96/01958-6
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1996
Data de Término da vigência: 30 de novembro de 1997
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:Paulo Nubile
Beneficiário:Paulo Nubile
Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Assunto(s):Células solares  Defeitos em semicondutores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Celulas Solares | Defeitos Em Semicondutores

Resumo

Neste projeto pretende-se estudar células solares de silício monocristalino irradiadas com elétrons de 1 MeV através de duas técnicas de caracterização complementares: a técnica DICE (Dynamic Inner Collection Efficiency) [1-4] e a técnica DLTS (Deep Levei Transient Spectroscopy) [5-7]. Pela técnica DICE determina-se a eficiência de coleção de portadores de carga nas várias regiões de interesse da célula solar (emissor, base, zona de depleção, zona de campo retrosuperficial). A técnica DLTS é utilizada para estudar e caracterizar os defeitos produzidos por danos de radiação. A idéia fundamental deste projeto é a de correlacionar os defeitos produzidos após bombardeamento com elétrons de 1 Mev com a eficiência de coleção. Pretende-se estabelecer um procedimento capaz de determinar as regiões mais afetadas das células solares e que influência têm os processos de recozimento nesse parâmetro. (AU)

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