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Microscopia de forca atomica aplicada ao estudo da deposicao eletroquimica de filmes finos de cu, co ni sobre silicio.

Processo: 96/09828-4
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de maio de 1997
Data de Término da vigência: 30 de abril de 1999
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Sebastiao Gomes dos Santos Filho
Beneficiário:Sebastiao Gomes dos Santos Filho
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Eletrodeposição  Superfícies  Microeletrônica  Semicondutores  Silício  Filmes finos 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Eletrodeposicao | Filmes Finos | Microeletronica | Semicondutores | Silicio | Superficies

Resumo

I) Aquisição de um microscópio de força atômica NANOSCOPE E com cabeçote AFM e com opção de célula eletroquímica, e implementação desta técnica de análise no Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) do Departamento de Engenharia Eletrônica (PEE) da Escola Politécnica da USP (EPUSP); II) Utilização desta técnica de caracterização primordialmente no estudo e desenvolvimento do processo de eletrodeposição de filmes finos (~100 nm) de Cu, de Ni, de Co e de ligas de Co sobre Si e/ou Cu; III) Estudo da eletrodeposição destes filmes em camadas alternadas de, por exemplo, Cu/Co-Cu/Cu/Co-Co... formando heteroestruturas e verificar ainda a viabilidade de eletrodeposição de ligas de Co (Co(Ni), por exemplo). (AU)

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