Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores MOS sobre substratos SOI (Silicon-on-insulator)

• Processo: 97/05260-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 1999
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Luiz Sérgio Zasnicoff
• Beneficiário: Luiz Sérgio Zasnicoff
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Condutividade térmica Transistores Dispositivos eletrônicos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Condutancia Negativa | Estruturas Soi | Transitores Mos

Resumo

Este trabalho objetiva o estudo de dispositivos SOI (Silicon-On-Insulator), com ênfase nos efeitos do auto-aquecimento, causado pela baixa condutibilidade térmica do filme de SiO2 enterrado. Em regime de alto consumo de potência, um aumento demasiado na temperatura da rede cristalina é ocasionado. Sua principal consequência é o efeito de condutância diferencial negativa, manifestada em dispositivos sub-micrométricos, que podem causar auto-oscilação e maior transcondutância de porta. A partir de testes estáticos e dinâmicos em amostras SOI, os resultados experimentais obtidos podem ser comparados com os obtidos via simulação pelo Programa MEDICI, possibilitando a caracterização elétrica e térmica deste efeito. A análise e extração dos parâmetros que governam tal mecanismo, seu controle externo, suas consequências e propriedades, constituem o objetivo principal do projeto. (AU)