Crescimento por mbe e caracterizacao de camadas epitaxiais de compostos iv-vi e suas ligas semimagneticas.

• Processo: 97/06993-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 1999
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Antonio Yukio Ueta
• Beneficiário: Antonio Yukio Ueta
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Fotodetectores Infravermelho
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fotodetectores | Infravermelho | Ligas Semimagneticas | Mbe | Sais De Chumbo | Semicondutores

Resumo

Este projeto visa a investigação de camadas epitaxiais de semicondutores IV-VI e suas ligas semimagnéticas, do tipo PbSnEuTe, crescidas através da técnica de epitaxial por feixe molecular (MBE) sobre substratos de BaF2 e Si, orientados preferencialmente na direção (111). Os materiais mais convenientes normalmente escolhidos para a produção destas ligas semimagnéticas de compostos IV-VI são o európio (Eu) e o manganês (Mn). Estes materiais apresentam um potencial na fabricação de fotodetectores e lasers de diodo para a região do infravermelho. O seu crescimento será realizado no sistema MBE modelo 32P da Riber, adquirido recentemente pelo INPE, e que já vem sendo utilizado tanto na fabricação de protótipos de arranjos de detectores (focal plane arrays) para a faixa do infravermelho termal, bem como na deposição de heteroestruturas de PbTe/PbvxSnxTe para estudos de propriedades físicas de sistemas de baixa dimensão. As caracterizações iniciais serão feitas in situ através da difração de elétrons de alta energia (RHEED) e ex situ através de difração de raio-x de alta resolução, efeito Hall e medidas ópticas, que são técnicas já operantes no nosso laboratório. (AU)