Dinâmica de portadores em estruturas semicondutoras

• Processo: 97/12314-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1998
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2002
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Marcos Henrique Degani
• Beneficiário: Marcos Henrique Degani
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia. Universidade São Francisco (USF). Campus Itatiba. Itatiba , SP, Brasil
• Assunto(s): Dispositivos eletrônicos Semicondutores Spin Íons eletrônicos Relaxação (RMN) Evolução temporal
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dinamica De Recombinacao | Evolucao Temporal | Relaxacao De Spin | Semicondutores | Semicondutores Semimagneticos | Tunelamento

Resumo

Nesse projeto investigaremos a dinâmica de portadores em sistemas semicondutores de dimensionalidade reduzida, com ênfase dada aos portadores em dispositivos compostos por semicondutores do grupo II-VI, onde as propriedades ópticas e de transporte, dependentes do tempo e dos estados de spins, serão investigadas. A escolha dos semicondutores II-VI tem diversas motivações. Primeiro, devido aos recentes avanços no crescimento epitaxial de sistemas semicondutores com elementos desse grupo, que não têm sido acompanhados de um suporte teórico de mesmo nível de desenvolvimento. Segundo, devido à possibilidade de dopagem desses semicondutores com íons magnéticos (semicondutores semimagnéticos) que introduz um variada gama de efeitos eletrônicos dependentes de campos magnéticos externos. Como objetivamos o estudo dos estados de spins dos portadores nesses sistemas semicondutores, estaremos investigando muitos desses efeitos associados a campos magnéticos. O estudo proposto neste projeto das dinâmicas de relaxação de spins, de recombinação e excitação óptica, visa interpretar recentes medidas experimentais nos semicondutores semimagnéticos feitas com resolução temporal. (AU)