Estudo de processos em superficies de semicondutores.

• Processo: 98/03053-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1998
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 2001
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Antonio José Roque da Silva
• Beneficiário: Antonio José Roque da Silva
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Simulação Matéria condensada Estrutura eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Calculo Ab Initio | Estrutura Eletronica | Fisica De Superficies | Materia Condensada | Semicondutores | Simulacoes

Resumo

O objetivo do projeto de pesquisa é estudar teoricamente, ao nível microscópico, processos que ocorrem em superfície de semicondutores (adsorção, distorção, difusão, etc), e que são importantes no crescimento e processamento de dispositivos. Procura-se entender não só as propriedades estáticas, como configurações estruturais e barreiras de energia, mas também a dinâmica dos referidos processos. Os problemas específicos que pretendo estudar-são: (1) CO em Si (100)-2x1; (2) simulação dos primeiros estágios de crescimento de Ge em Si (100)-2x1; (3) distorção de H2 da superfície de Si (100)-2x1. (AU)