Estudo da camada de si-poli para porta de estruturas mos e microestruturas.

• Processo: 99/07617-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2002
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ioshiaki Doi
• Beneficiário: Ioshiaki Doi
• Instituição Sede: Centro de Componentes Semicondutores (CCS). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Microestruturas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Deposicao De Si-Poli | Filmes Finos | Lpcvd | Microestruturas | Porta De Silicio | Silicio Policristlaino

Resumo

O projeto visa o estudo da camada de Si-poli para porta de dispositivos MOS e microestruturas. Os filmes de Si-poli se preparados por LPCVD nas variadas condições de deposição (fluxo, temperatura e pressão) usando o gás silano. Serão analisa as taxas de deposição, as características e as propriedades dos filmes obtidos, correlacionando-as com os parâmetros de deposito e com os requisitos necessários às aplicações citadas. Constitui também objetivo deste projeto, a implementação do sistema LPCVD e a capacitação do CCS/UNICAMP na obtenção de filmes de Si-poli para estudos de CIs CMOS, microssensores semicondutores e de outros materiais como SiGe importantes na tecnologia de circuitos integrados. (AU)