Obtencao e transferencia de tecnologia de detectores de radiacao infravermelha atraves de crescimento epitaxial de ligas semicondutoras.

• Processo: 01/02410-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2001
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2002
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Sonia Guimarães
• Beneficiário: Sonia Guimarães
• Instituição Sede: Instituto de Aeronáutica e Espaço (IAE). Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial (DCTA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Crescimento epitaxial
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento Epitaxial | Fluoreto De Bario | Ligas Semicondutoras | Silicio Monocristalino Poroso

Resumo

Como resultado deste projeto terá detectores de radiação infravermelhos obtidos através de crescimento epitaxial de telureto de chumbo (PbTe) sobre lâminas de fluoreto de bário (BaF2), sobre silício monocristalino (Si). Outra meta será a transferência de tecnologia desenvolvida neste projeto, para a indústria interessada em produzir detectores. O crescimento será feito através do Sistema de Crescimento Epitaxial de Paredes Quentes - "Hot Wall Epitaxy" (HWE). Utilizando essa mesma tecnologia estamos também iniciando trabalhos onde as lâminas de silício monocristalino serão substituídas por silício poroso (SP). Ainda com o objetivo de melhorar o desempenho do detector estamos planejando crescer epitaxialmente telureto de chumbo e estanho (PbSnTe), como a camada tipo p, juntamente com PbTe tipo n. Na realidade, já estamos trabalhando nessas pesquisas há algum tempo, mas estamos com problemas de funcionamento da bomba iônica do HWE, e necessitamos de uma nova. (AU)