Interacoes de spin e propriedades de transporte em nanoestruturas semicondutoras.

• Processo: 02/11246-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2003
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2005
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luis Carlos Ogando Dacal
• Beneficiário: Luis Carlos Ogando Dacal
• Instituição Sede: Instituto de Estudos Avançados (IEAv). Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial (DCTA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Spintrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Spintronica

Resumo

Um dos obstáculos à construção de dispositivos spintrónicos é a falta de uma melhor descrição dos processos de acoplamento spin-órbita em semicondutores. Este projeto busca contribuir para a solução deste problema apresentando um tratamento do efeito Rashba em fios quânticos semicondutores mais rigoroso que aqueles atualmente conhecidos. O modelo do fio quântico através de um Hamiltoniano de massa efetiva tipo Kane fornece uma expressão analítica para o termo Rashba que é função dos parâmetros usuais para o semicondutor bulk evitando estimativas de parâmetros adicionais. Simultaneamente, o caráter tridimensional do sistema permitirá uma representação completa desta interação spin-órbita. Estas duas características constituem as principais inovações propostas por nosso modelo para estudo da influência do acoplamento spin-órbita sobre a condutância do dispositivo. Trabalharemos sempre dentro do regime de transporte linear balístico. (AU)