Espalhamento magnetico de raios-x moles em nanoestruturas magneticas.

• Processo: 03/13136-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2004
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2006
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Rogerio Magalhaes Paniago
• Beneficiário: Rogerio Magalhaes Paniago
• Instituição Sede: Associação Brasileira de Tecnologia de Luz Síncrotron (ABTLuS). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Radiação síncrotron Pontos quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Nanotecnoogia | Pontos Quanticos | Radiacao Sincrotron

Resumo

Este projeto de pesquisa tem como objetivo desenvolver a técnica de Espalhamento Magnético de Raios-x Moles para o estudo de propriedades magnéticas de filmes finos e nanoestruturas de metais de transição utilizando Radiação Síncrotron. Pretendemos estudar as propriedades de multicamadas magneto-resistivas e comparar o acoplamento magnético das camadas com suas resposta magneto-resistiva. Para tanto desenvolveremos a técnica de refletividade magnética ressonante de raios-x moles nas bordas L de metais magnéticos (Fe, Ni, Mn, Co). Pretendemos também desenvolver a técnica de espalhamento de raios-x a baixo ângulo para estudarmos a estrutura magnética de nanoestruturas de GeMn/Si(001) e MnAs/GaAs(110). Para tanto, construiremos uma câmara de medida de espalhamento de raios-x que será acoplada à linha de Espectroscopia de Raios-x Moles SXS do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS). (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

MALACHIAS‚ A.; SCHÜLLI‚ TU; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.; CANÇADO‚ LG; STOFFEL‚ M.; SCHMIDT‚ OG; METZGER‚ TH; MAGALHÃES-PANIAGO‚ R.. X-ray study of atomic ordering in self-assembled Ge islands grown on Si (001). Physical Review B, v. 72, n. 16, p. 165315, 2005. (03/13136-6)