Nanoestruturas de inas/gaas opticamente ativas em 1,3 um e 1,55 um para aplicacoes em optoeletronica.

• Processo: 06/04485-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2006
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2007
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Sandro Martini
• Beneficiário: Sandro Martini
• Instituição Sede: Faculdade de Tecnologia e Ciências Exatas. Universidade São Judas Tadeu (USJT). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Pontos quânticos Fotoluminescência
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fotoluminescencia | Mbe | Pontos Quanticos | semicondutores

Resumo

O objetivo deste projeto é estudar as propriedades ópticas de pontos quânticos (quantumdots, QDs) de In(Ga)As auto-organizados sobre substratos de GaAs, opticamente ativos em1.3 e 1.55 µm. O plano de pesquisa propõe um estudo sistemático e detalhado utilizando atécnica de fotoluminescência (Photoluminescence, PL). Essas duas regiões de comprimentode onda correspondem aos mínimos de atenuação de sinal em fibras ópticas de silicatos. Entreos objetivos específicos a serem estudados estão: a dinâmica de portadores, os mecanismos defuga e a dependência da PL com a potência de excitação. (AU)