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Nanoestruturas de semicondutores magnéticos diluídos de gap estreito para aplicações na spintrônica

Processo: 06/50342-1
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de maio de 2006
Data de Término da vigência: 30 de abril de 2009
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Acordo de Cooperação: CNRS
Pesquisador responsável:Nei Fernandes de Oliveira Junior
Beneficiário:Nei Fernandes de Oliveira Junior
Pesquisador Responsável no exterior: Duncan K. Maude
Instituição Parceira no exterior: Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, Grenoble (LNCMI), França
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Spintrônica  Semicondutores  Poços quânticos  Materiais nanoestruturados 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Magnetotransporte | Nanoestruturas | Spintronica

Resumo

Com o advento da spintrônica, a pesquisa sobre os semicondutores magnéticos diluídos (SMD) e os semicondutores de gap estreito com forte acoplamento spin-órbita tornou-se prioritária. Nesse projeto, nós propomos o estudo de poços quânticos de PbTe/PbEuTe (SMD de gap estreito) através de medidas de magneto-transporte a baixa temperatura. Os resultados experimentais levarão à otimização das heteroestruturas (concentração de Európio, assimetria do poço, densidade de portadores, etc.) visando futuras aplicações. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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