| Processo: | 06/03934-0 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de maio de 2007 |
| Data de Término da vigência: | 31 de julho de 2008 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Luis Carlos Ogando Dacal |
| Beneficiário: | Luis Carlos Ogando Dacal |
| Instituição Sede: | Instituto de Estudos Avançados (IEAv). Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial (DCTA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Semicondutores Éxciton Pontos quânticos Estados eletrônicos |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Estados Eletronicos | Excitons | Pontos Quanticos | Semicondutores |
Resumo
Este projeto propõe um estudo teórico de complexos excitônicos em nanoestruturas semicondutoras tipo II usando o método variacional dentro do modelo de massa efetiva. As estruturas a serem analisadas são formadas por um ponto quântico de InP/GaAs e um poço quântico de InGaAs/GaAs. Os elétrons ficarão confinados no ponto enquanto os buracos no poço. A variação da distância entre estas duas regiões permitirá controlar a influência da interação colombiana sobre o estado do complexo excitônico e monitorar seu reflexo em propriedades como a energia e o tempo de recombinação dos portadores, as quais são de grande interesse para a confecção de dispositivos opto-eletrônicos.Este trabalho contará com o apoio experimental da Dra. Maria José Santos Pompeu Brasil e do Dr. Fernando Iikawa (UNICAMP) que analisarão as amostras descritas acima. Contaremos também com a colaboração do Dr. Antônio Justino Ruas Madureira (UnB) que realizará cálculos através do método "split-operator". Este método, apesar de superar dificuldades ligadas à falta de simetria do sistema estudado, apresenta um custo computacional muito elevado. Desta forma, os resultados variacionais darão uma visão geral da dependência das propriedades de interesse com os parâmetros estruturais e indicarão quais conjuntos destes parâmetros merecem ter os resultados refinados pelo método "split-operator".Pretendemos incluir no estudo a influência de campos externos e, se possível, a análise de estados de éxcitons carregados. (AU)
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