Efeito Hall de spin em poços quânticos duplos e largos

• Processo: 10/09880-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2010
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2012
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gennady Gusev
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Poços quânticos Spintrônica Efeito Hall
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: efeito hall | Poços Quânticos | Spintrônica | Novos Materiais Semicondutores

Resumo

O spin do elétron é um tema de intensa investigação atualmente na área da spintrônica - uma nova e muito promissora linha de pesquisa que pode levar a importantes aplicações práticas na microeletrônica. O efeito Hall de spin é um método efetivo para variar a condução de corrente de spin num dispositivo de spin, fator chave em dispositivos spintrônicos. O objetivo principal deste projeto é o estudo do efeito Hall de spin em poços quânticos duplos de GaAs e InAs para aplicações em spintrônica. O foco principal desta proposta é a otimização da geometria da estrutura com o objetivo de aumentar a interação spin-órbita dos elétrons com a análise dos efeitos de spin em poços quânticos duplos. Este objetivo será alcançado através da realização de medidas de efeito de Kerr com resolução temporal e de transporte. Os benefícios deste projeto para o Brasil são o desenvolvimento de técnicas de crescimento necessárias para obter poços quânticos duplos de alta qualidade e a aplicação possível deste conhecimento (ou suas conseqüências) em futuros dispositivos. (AU)

Publicações científicas

(4)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

HERNANDEZ, F. G. G.; NUNES, L. M.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 88, n. 16, OCT 29 2013. (10/09880-5, 13/03450-7, 09/15007-5)

HERNANDEZ, F. G. G.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.. Resonant optical control of the electrically induced spin polarization by periodic excitation. Physical Review B, v. 90, n. 4, p. 5-pg., 2014-07-14. (09/15007-5, 13/03450-7, 10/09880-5)

HERNANDEZ, F. G. G.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.; IOP. Tuning of the Lande g-factor in AlxGa1-xAs/AlAs single and double quantum wells. WAKE CONFERENCE 2021, v. 456, p. 5-pg., 2013-01-01. (09/15007-5, 10/09880-5)

HERNANDEZ, F. G. G.; GUSEV, G. M.; BAKAROV, A. K.. Resonant optical control of the electrically induced spin polarization by periodic excitation. Physical Review B, v. 90, n. 4, JUL 14 2014. (10/09880-5, 13/03450-7, 09/15007-5)