| Processo: | 96/05829-6 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Programa Cooperação CNPq-FAPESP |
| Data de Início da vigência: | 01 de fevereiro de 1997 |
| Data de Término da vigência: | 31 de janeiro de 1999 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Acordo de Cooperação: | CNPq - Programa Cooperação CNPq-FAPESP |
| Pesquisador responsável: | Pierre Basmaji |
| Beneficiário: | Pierre Basmaji |
| Instituição Sede: | Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Física do estado sólido Epitaxia por feixe molecular Semicondutores Litografia (processos de impressão) |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Dispositivos | Heteroestruturas | Litografia | Semicondutores |
Resumo
O projeto integrado de pesquisa visa o desenvolvimento de processos litográficos a serem aplicados no processamento de heteroestruturas semicondutoras do grupo III-V, crescidas por epitaxia por feixe molecular. O desenvolvimento dos processos de fotolitografia (escala macrométrica) e litografia por feixe de elétrons (sub-micrométrica) são as etapas iniciais para o desenvolvimento de protótipos de dispositivos com uma velocidade de chaveamento cada vez maior. Além do caráter de domínio destas tecnologias, ainda pouco desenvolvidas no Brasil, o projeto tem um caráter acadêmico de formação de pessoal altamente qualificado nos processos acima mencionados. (AU)
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