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Infraestrutura do laboratório de crescimento de amostras semicondutoras por Molecular Beam Epitaxy (MBE)

Processo: 94/04674-3
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Programa Infraestrutura
Data de Início da vigência: 01 de março de 1995
Data de Término da vigência: 31 de maio de 1996
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:José Roberto Leite
Beneficiário:José Roberto Leite
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Laboratórios  Equipamentos e provisões  Infraestrutura 

Resumo

O presente projeto visa melhorar a infra-estrutura do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS - MBE) e inclui: I) reforma da sala limpa para preparação de amostras de lata qualidade por dispositivos eletrônicos; II) um (1) aparelho de ar-condicionado de 80 kVA, essencial para refrigeração da sala do MBE; III) sistema nobreak para manter as partes essenciais do MBE em funcionamento. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
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