Propriedades de transporte em sistemas fortemente correlacionados

• Processo: 00/07660-6
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2002
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Paulo Eduardo Fornasari Farinas
• Beneficiário: Paulo Eduardo Fornasari Farinas
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Auxílio(s) vinculado(s): 01/01713-3 - Kevin Bedell | Boston College - Estados Unidos, AV.EXT
• Bolsa(s) vinculada(s): 00/10805-6 - Propriedades de transporte em sistemas fortemente correlacionados, BP.JP
• Assunto(s): Spin Ferromagnetismo
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ferromagnetismo | Liquidos De Fermi | Ondas De Spin
• Publicação FAPESP: https://media.fapesp.br/bv/uploads/pdfs/Investindo...pesquisadores_245_190_191.pdf

Resumo

Neste projeto, três linhas de pesquisa serão desenvolvidas: 1) propriedades de transporte em multicamadas magnéticas. Inclui impurezas metálicas e semicondutoras dotadas com impurezas magnéticas; o projeto visa estudar como propriedades coletivas, como ondas de spin, podem ser observadas em medidas de corrente elétrica; 2) transporte fora do equilíbrio em sistemas mesoscópicos. Dá continuidade a estudo que já somam ao entendimento da origem dos pontos isosbéticos em propriedades mensuráveis de sistemas interagentes; 3) estudo de um modo de ondas de spin ainda não observado no ferromagnetismo. Enfoca a natureza básica e os meios de observar-se este novo fenômeno cuja previsão teórica está emergindo na literatura. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

FARINAS‚ P.F.. Electron paramagnetic spin-wave effects on the transport current through a semimagnetic semiconductor layer. Physical Review B, v. 64, n. 16, p. 161310, 2001. (00/07660-6, 00/10805-6)