Síntese e integração de nanoestruturas, filmes finos e superfícies modificadas

• Processo: 08/53311-5
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2008
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2012
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Roberto Ribeiro Bortoleto
• Beneficiário: José Roberto Ribeiro Bortoleto
• Instituição Sede: Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental de Sorocaba. Sorocaba , SP, Brasil
• Bolsa(s) vinculada(s): 10/00572-6 - Síntese e caracterização de filmes finos óxidos depositados a plasma, BP.IC
• Assunto(s): Microscopia Filmes finos Materiais nanoestruturados
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Microscopia De Forca Atomica | Nanoestruturas Semicondutoras
• Publicação FAPESP: https://media.fapesp.br/bv/uploads/pdfs/Investindo...pesquisadores_229_180_181.pdf

Resumo

Este projeto visa à fabricação e a caracterização de nanoestruturas semicondutoras (nanodots e/ou nanofios do grupo III-V ou de óxido de zinco), filmes finos e sua integração com substratos poliméricos e de materiais semicondutores. O crescimento dos filmes óxidos e das nanoestruturas semicondutoras de óxido de zinco será feita através das técnicas de deposição por vapor químico. As nanoestruturas do grupo III-V serão formadas pela técnica de epitaxia por feixe químico. A modificação da superfície das matrizes poliméricas e seu revestimento com filmes semicondutores serão feitos empregando-se técnicas de deposição a plasma. Em todos os casos será investigado o efeito dos parâmetros de crescimento (temperatura, potência, fluxos, pressão e composição dos precursores) sobre as propriedades estruturais (tamanho, distribuição espacial, composição, ; orientação cristalina) bem como sobre as propriedades ópticas e elétricas do material obtido. Além,disso, será investigada a integração de filmes de óxidos semicondutores com materiais do grupo III-V :e/ou matrizes poliméricas, bem como as propriedades físico-químicas únicas que estas estruturas mistas podem exibir, as quais podem vir a serem aplicadas desde células solares e painéis luminescentes até dispositivos de computação quântica. (AU)

Publicações científicas

(5)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

ÉRICA PEREIRA DA SILVA; MICHEL CHAVES; STEVEN FREDERICK DURRANT; PAULO NORONHA LISBOA-FILHO; JOSÉ ROBERTO RIBEIRO BORTOLETO. Morphological and electrical evolution of ZnO: Al thin filmsdeposited by RF magnetron sputtering onto glass substrates. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 17, n. 6, p. 1384-1390, 2014-12-00. (08/53311-5, 11/21345-0)

DA SILVA, ERICA PEREIRA; CHAVES, MICHEL; DURRANT, STEVEN FREDERICK; LISBOA-FILHO, PAULO NORONHA; RIBEIRO BORTOLETO, JOSE ROBERTO. Morphological and Electrical Evolution of ZnO:Al Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering onto Glass Substrates. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 17, n. 6, p. 1384-1390, NOV-DEC 2014. (11/21345-0, 08/53311-5)

BORTOLETO, J. R. R.; CHAVES, M.; ROSA, A. M.; DA SILVA, E. P.; DURRANT, S. F.; TRINO, L. D.; LISBOA-FILHO, P. N.. Growth evolution of self-textured ZnO films deposited by magnetron sputtering at low temperatures. Applied Surface Science, v. 334, p. 210-215, APR 15 2015. (11/21345-0, 08/53311-5)

CHAVES, MICHEL; RAMOS, RAUL; MARTINS, EVERSON; RANGEL, ELIDIANE CIPRIANO; DA CRUZ, NILSON CRISTINO; DURRANT, STEVEN FREDERICK; RIBEIRO BORTOLETO, JOSE ROBERTO. Al-doping and Properties of AZO Thin Films Grown at Room Temperature: Sputtering Pressure Effect. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 22, n. 3, 2019. (14/21594-9, 08/53311-5)

ROSA, A. M.; DA SILVA, E. P.; CHAVES, M.; TRINO, L. D.; LISBOA-FILHO, P. N.; DA SILVA, T. F.; DURRANT, S. F.; BORTOLETO, J. R. R.. Structural transition of ZnO thin films produced by RF magnetron sputtering at low temperatures. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, v. 24, n. 9, p. 3143-3148, SEP 2013. (08/53311-5)