Influência das condições de preparação e dopagem na densidade de estados do germânio amorfo hidrogenado

• Processo: 92/01603-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1993
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 1994
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Alvarez
• Beneficiário: Fernando Alvarez
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores (físico-química) Espectroscopia Germânio Luminescência
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Espectroscopia Por Deflecao | Semicondutores Amorfos

Resumo

A presente solicitação de auxílio visa atingir os seguintes objetivos: a) estudar a influência das condições de preparação por descarga luminescente na DOS da banda proibida do germânio amorfo hidrogenado, intrínseco e dopado (fosfina e diborano). Usaremos técnicas de polarização DC do substrato para tentar melhorar as propriedades do material; b) estudar a influência das condições de deposição da DOS em germânio amorfo hidrogenado, intrínseco e dopado com antimônio, utilizando o sistema 'sputtering'; c) montagem de um sistema de espectroscopia de deflecção térmica ('Photothermal Deflection Spectroscopy', PDS) para medição do coeficiente de absorção para energias menores que aquelas do gap. Esta técnica será utilizada como ferramenta para comparar as qualidades dos materiais produzidos pelos dois métodos descritos nos itens 'a' e 'b'. Esta pesquisa fará parte da tese de doutoramento de um estudante. (AU)