Busca avançada
Ano de início
Entree

Iouri Danilov | Univ. Federal Rio Grande Sul/UFRGS - Brasil

Processo: 97/14346-1
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Brasil
Data de Início da vigência: 01 de abril de 1998
Data de Término da vigência: 31 de março de 1999
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Jacobus Willibrordus Swart
Beneficiário:Jacobus Willibrordus Swart
Pesquisador visitante: Iouri Danilov
Instituição do Pesquisador Visitante: Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS), Brasil
Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:92/03453-8 - Tecnologia HBIFET: processo e caracterização, AP.TEM
Assunto(s):Implantação iônica  Arsenieto de gálio  Intercâmbio de pesquisadores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Backgating | Hbt | Implantacao De Ions | Isolacao | Mesfet | Tecnologia De Gaas

Resumo

Serão estudados e otimizados processos de fabricação de circuitos integrados em tecnologia MESFET e HBT em GaAs, dando ênfase especial às etapas de uso irradiação de íons para a obtenção de camadas ativas, fonte/dreno e isolação (baixo efeito de backgating) para MESFET e isolação para redução de capacitância base-coletor e isolação entre dispositivos para HBT. Este plano de trabalho contribuirá com o projeto temático FAPESP nº 92/3453-8. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
Mais itensMenos itens
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)