Akira J. Ikushima | Toyota Technological Institute - Japão

• Processo: 01/03237-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
• Data de Início da vigência: 26 de julho de 2001
• Data de Término da vigência: 02 de agosto de 2001
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
• Pesquisador responsável: Carlos Kenichi Suzuki
• Beneficiário: Carlos Kenichi Suzuki
• Pesquisador visitante: Akira J. Ikushima
• Instituição do Pesquisador Visitante: Toyota Technological Institute (TTI), Japão
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Mecânica (FEM). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Radiação síncrotron Monocristais Deposição axial na fase vapor Intercâmbio de pesquisadores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos | Imagem Por Difracao | Monocristais | Monocristal De Proteina | Radiacao Sincrotron

Resumo

O desenvolvimento de preformas de sílica-germânia para fibras ópticas pela tecnologia VAD ("vapor-phase axial deposition") foi recentemente realizado no LIQC/UNICAMP. Atualmente, este grupo está atuando no desenvolvimento de novas propriedades em termos de menor atenuação e maior capacidade de transmissão, e em especial para a geração do segundo harmônico-GSH (efeito não-linear) em preformas de sílica-germânia. Por outro lado, o visitante, Prof. Akira Ikushima é o pioneiro no efeito GHS induzido por processo de "poling" assistido por luz ultravioleta em preformas vítreas de SiO2:GeO2 preparadas pelo método VAD. A interação com o Prof. Ikushima através desta visita poderá trazer grandes benefícios para o desenvolvimento de dispositivos fotônicos no país. O Prof. Ikushima deverá conduzir seminários e palestras, orientar diversas teses de pós-graduação e projetos de pós-doutorado, e interagir com vários outros grupos de pesquisa na UNICAMP e em outras instituições. (AU)