Auxílio à pesquisa 01/14646-2 - Caracterização estrutural, Carbeto de silício - BV FAPESP
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Kornely Grigorov | Inst. of Electronics and Mechanics/Bulgarian Academy of Sciences - Bulgária

Processo: 01/14646-2
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Internacional
Data de Início da vigência: 01 de julho de 2002
Data de Término da vigência: 30 de junho de 2003
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Homero Santiago Maciel
Beneficiário:Homero Santiago Maciel
Pesquisador visitante: Kornely Grigorov
Instituição do Pesquisador Visitante: Bulgarian Academy of Sciences (BAS), Bulgária
Instituição Sede: Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Assunto(s):Caracterização estrutural  Carbeto de silício  Nitreto de alumínio  Deposição de filmes finos  Intercâmbio de pesquisadores 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Caracterizacao Estrutural | Carbeto De Silicio | Deposicao Por Plasma | Nitreto De Aluminio

Resumo

Entre as atividades que serão desenvolvidas pelo Dr. K. Grigorov destacam-se: a) deposição de filmes de AIN sobre Si pela técnica magnetron sputtering em diferentes condições experimentais; b) caracterização estrutural destes filmes, por meio de difração de raios-x para a verificação de aspectos da nucleação, formação de faces fcc e hexagonal. Será utilizada difração de raios-x com incidência rasante para o estudo da densidade e da espessura do filme; c) caracterização elétrica dos filmes, por meio da análise de curvas CxV e IxV, com as quais serão estudados os mecanismos de transporte de cargas ao longo do filme, e a densidade de estados de interface.; d) estudo do efeito do recozimento destes filmes em diferentes temperaturas, sobre suas propriedades; e) observação do efeito de uma inter-camada de SiC ou a-C:H entre o filme de AIN e o substrato de silício sobre as propriedades anteriormente citadas. (AU)

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